SEMICONDUCTOR WITH METAL COATING ON ITS REAR SURFACE

摘要

Um Scheibenverbiegungen von Halbleiterwafern deutlich zu reduzieren, ohne dabei Einbussen in der Haftfestigkeit auf den Trägermaterialien zu erleiden, wird ein neues Rückseitenmetallisierungssystem vorgestellt, bei dem vor dem Löten ausgehend vom Silizium (1) in Richtung zur Trägerplatte (2) eine Aluminiumschicht (3) und eine aus Titan (4) bestehende Diffusionssperrschicht vorgesehen ist. In die Titanschicht wird eine Titannitridschicht (5) eingebracht, da es sich gezeigt hat, dass diese Titannitridschicht einen Grossteil der auftretenden Scheibenverbiegungen kompensieren kann. Vorzugsweise wird das zur Verbesserung des ohmschen Kontaktes zwischen der Aluminiumschicht und dem Siliziumhalbleiterkörper übliche Tempern nicht nach der vollständigen Metallisierung des Halbleiterkörpers durchgeführt, sondern nach Abscheiden einer dünnen ersten Aluminiumschicht auf dem Siliziumhalbleiterkörper.