| 摘要 |
<P>Un dispositif de détection de pression comporte une puce de semiconducteur monocristallin (2) disposée sur un diaphragme métallique (1b) avec interposition d'une couche de verre à bas point de fusion (7). La puce de capteur (2) a une forme en plan qui est sélectionnée parmi une forme circulaire et des formes polygonales répondant à certaines conditions. Quatre résistances d'extensomètre (3a-3d) sont disposées sur des axes (x, y) passant par un point central de la puce, parallèlement à des directions <110>. Cette configuration réduit les contraintes thermiques, de façon à ne pas affecter défavorablement une erreur de détection, et elle procure simultanément une sensibilité élevée.</P> |
