| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR NPN DANS UNE TECHNOLOGIE BICMOS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2756101(B1) |
申请公布日期 |
1999.02.12 |
| 申请号 |
FR19960014411 |
申请日期 |
1996.11.19 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
GRIS YVON |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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