发明名称 PROCESS FOR MANUFACTURING INTEGRATED MOS CIRCUITS
摘要 <p>In einem Verfahren zur Herstellung von MOS-Schaltungen wird eine Prozeßvereinfachung eines PBL (Polysilicon-Buffered-LOCOS)-Prozesses erreicht, indem das beim PBL-Prozeß abgeschiedene Padoxid (3) als Gateoxid verwendet wird und darüber hinaus auch noch die beim PBL-Prozeß abgeschiedene Polysiliziumschicht (4) als Teil des Gate-Polysiliziums verwendet wird.</p>
申请公布号 WO1999007012(A1) 申请公布日期 1999.02.11
申请号 DE1998002140 申请日期 1998.07.28
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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