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发明名称 Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号 DE19629720(C2) 申请公布日期 1999.02.11
申请号 DE19961029720 申请日期 1996.07.23
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 FURUSHIMA, YUJI, TOKIO/TOKYO, JP
分类号 C30B25/18;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/28;H01L33/32;H01L33/34;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 C30B25/18
代理机构 代理人
主权项
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