| 发明名称 | 结构化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种使至少一层待结构化薄层结构化的方法,该方法包括下列步骤:在待结构化的薄层上覆盖上掩膜,在使用掩膜的情况下,使该待结构化薄层结构化,去除掩膜,此时该待结构化薄层的材料的再沉积物被遗留,和该待结构化薄层的材料的再沉积物被机械抛光或化学机械抛光去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1207578A | 申请公布日期 | 1999.02.10 |
| 申请号 | CN98116749.7 | 申请日期 | 1998.07.31 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | M·恩格尔哈德特;V·维恩里希 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/30;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．用于结构化至少一层待结构化薄层的方法具有如下步骤：在待结构化薄层上覆盖一掩膜，在使用掩膜的条件下，将待结构化薄层结构化，去除掩膜，此时待结构化薄层的材料的再沉积物被遗留，和待结构化薄层的材料的再沉积物，通过机械抛光或化学机械抛光被去除。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||