| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种按本发明的半导体器件,包括在半导体基片上形成层间绝缘层的绝缘支。层间绝缘层具有支条之间形成的空腔,从而使半导体器件中叠层之间的静电电容得以降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1207580A | 申请公布日期 | 1999.02.10 |
| 申请号 | CN98103248.6 | 申请日期 | 1998.07.17 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 森永志郎 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张祥龄 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特在于包括：一第一线层成形在半导体基片上；一第一绝缘层至少复盖在所说的第一线层上；多条绝缘支成形在所说的第一绝缘层上，以便在所说的绝缘支之间造成空间；一第二绝缘层形成在所说的绝缘支的上端；一第二线层形成在所说的第二绝缘层上。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||