| 发明名称 | 光刻胶的显影工艺 | ||
| 摘要 | 一种在半导体晶片上获得光刻胶图形的显影工艺,包括在晶片上搅涂显影剂并以处于搅涂条件的预定倾角倾斜固定住晶片以及多次重复进行交替的停转和慢转。这样只通过调节设备就能使图形宽度选择性地变窄,晶片部位以外的图形宽度变宽,由此提高晶片图形的均匀性并提高性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1207576A | 申请公布日期 | 1999.02.10 |
| 申请号 | CN98103084.X | 申请日期 | 1998.07.29 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 武藤章 |
| 分类号 | H01L21/30;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1、一种用以在半导体晶片上获得光刻胶图形的显影工艺，其特征在于，它包括的步骤有：在晶片的表面上搅涂一层显影剂；以及以处于搅涂条件的预定倾角固定住倾斜的晶片并多次重复进行交替的停转和慢转。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||