| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen durch Feldeffekt steuerbaren vertikalen Bipolartransistor und insbesondere die Struktur desselben sowie ein Verfahren zur Herstellung eines durch Feldeffekt steuerbaren vertikalen Bipolartransistors. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines durch Feldeffekt steuerbaren vertikalen Bipolartransistors mit dem Schritt: Aufbau mindestens eines Versorgungsanschlusses (4) und mindestens einer Steuerelektrode (8) auf einer ersten Seite des Substrats ist gekennzeichnet durch die Schritte: Erzeugen einer Feldstopzone (10) mit vorgegebener Dicke von einem ersten Leitungstyp auf der zweiten Seite des Substrats anschließend an die Innenzone; Erzeugen einer Kollektor-Schicht (7) als Schottky-Kontakt mit gestörter Vorschicht. Der erfindungsgemäße durch Feldeffekt steuerbare vertikale Bipolartransistor mit Innenzone (3), an die Innenzone (3) angrenzender erster Zone (1) und zweiter Zone (2) ist dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone eine an der Innenzone (3) angrenzende Feldstopzone (10) und eine an der Feldstopzone (10) angrenzende Kollektor-Schicht (7) umfaßt, wobei die Dicke der Feldstopzone (10) und die Dicke der Kollektor-Schicht (7) kleiner als 2 νm ist und die Dotierung der Feldstopzone (10) dem ersten Leitungstyp und die Dotierung der Kollektor-Schicht (7) einem zweiten Leitungstyp entspricht.</p> |
