摘要 |
<p>Zur Herstellung von Filtern mit sehr feiner Durchgangsloch-Struktur wird ein Rohling (1) aus schwach n- oder p-dotiertem ätzbarem Halbleitermaterial, wie z.B. monokristallinem Sizilium, je nach Dotierung als Anode oder Kathode verschaltet und in einer Ätzlösung elektrochemisch solange geätzt, bis Durchgangslöcher (2) gebildet sind. Hierbei ist am Rohling (1) ein Halteelement (3) befestigt, durch das die mit Ätzflüssigkeit benetzte Fläche des Rohlings (1), d.h. die herzustellende Filterfläche berandet ist. Je nach Dotierstoffkonzentration erhält man Durchgangslöcher mit einem Durchmesser bis herab zu 1 bis 2 nm.</p> |