| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine integrierte CMOS-Schaltung mit einem Substrat (1) aus Silizium, einer dielektrischen Schicht und einer weiteren Siliziumschicht (2) sowie mit MOS-Transistoren, die Source, Gate mit Gate-Dielektrikum (3b) und Drain aufweisen. Das Gate-Dielektrikum (3b) enthält Stickstoff oder eine Stickstoffverbindung. Der Stickstoff und/oder die Stickstoffverbindung verhindert eine laterale Oxidation zwischen den Siliziumschichten (1, 2) im Randbereich des Gate-Dielektrikums (3b).</p> |
