| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de cristallisation d'une couche de silicium amorphe sur un substrat, qui comprend les étapes de : - formation d'un film de silicium amorphe (21) sur le substrat (20), - formation d'une région en creux (21C) dans le film de silicium amorphe; et - cristallisation du film de silicium amorphe y compris la région en creux par recuit au laser de façon à cristalliser la région de canal ou région en creux du film de silicium amorphe sans formation d'une couche de recouvrement. Ce qui permet de réduire les dommages à la région de canal provoqués par la formation de la couche de recouvrement.</P> |
