| 摘要 |
<P>L'invention a trait à des transistors à effet de champ à hétérostructure (HFET) à concentration de porteurs de charge élevée dans un gaz de porteurs de charge bidimensionnel. Dans la succession de couches à hétérostructure, dans le n-HFET se trouvent plusieurs zones avec formation de gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) ou dans le p-HFET plusieurs zones avec formation d'un gaz de trous bidimensionnel (2DHG), qui peuvent être commandées par une grille du transistor sans se masquer mutuellement. Simultanément, grâce à plusieurs canaux, davantage de porteurs de charge n mobilité élevée sont également disponibles. On obtient ainsi des pentes de transistor sensiblement plus élevées, permettant des temps de commutation plus courts, en particulier dans des circuits intégrés. De plus, d'autres propriétés particulièrement importantes pour la technique à haute fréquence, comme la fréquence de transit et la fréquence limite, augmentent également.</P>
|
