| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen vertikalen Leistungs-MOSFET mit in einer Innenzone (1) angeordneten zusätzlichen Zonen (11, 12), die den gleichen und den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) haben. Die Ladungsträger-Lebensdauer ist in den zusätzlichen Zonen (12), die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) aufweisen, vermindert, und die zusätzlichen Zonen (11, 12) sind so dimensioniert, daß die Raumladungszone den von der oberen Oberfläche des MOSFET abgewandten Rand der zusätzlichen Zone (12) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Innenzone (1) praktisch nicht überschreitet.</p> |
