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<p>Un ensemble de dispositif à semi conducteur comprend, à l'intérieur d'une enveloppe (100), un ou plusieurs corps (102, 103) de composants supérieurs montés sur un corps (101) de composants inférieurs afin d'obtenir un circuit d'attaque ou redresseur en demi-pont ou en pont intégral ou un circuit d'attaque à solénoïde ou analogue à la fois bon marché et fiable. Chaque corps (101, 102, 103) de composants comprend un transistor à effet de champ MOS de puissance, un transistor bipolaire à grille isolée, une diode de Schottky et/ou un autre composant à semi conducteur. Une électrode principale de base (29a) du corps inférieur (101) est connectée à une plage de montage (130) dans l'enveloppe (100). Des connexions électriques (150) sont connectées à partir de fils conducteurs (140) de la grille de connexions (130, 140) d'enveloppe à des plages de connexion respectives (124a/b/c et 121/b/c) des électrodes supérieures (24a/b/c; 21a/b/c) des corps (101, 102, 103). La connexion (150) de la grille de connexion à l'électrode de base (29b/d) du corps supérieur (102, 103) est obtenue par l'électrode principale supérieure (24a/c) du corps inférieur (101) auquel elle est connectée sans couvrir les plages de connexion (124a/c, 121a/c) d'électrodes du corps inférieur (101). On obtient une grande surface de montage pour le ou les corps supérieurs (102, 103) ainsi qu'une bonne protection thermique de tout l'ensemble en ajoutant au corps inférieur (101) un circuit de protection contre les surcharges thermiques (D1, Q1, ...) doté d'un capteur de température (D1) en un endroit adjacent à la zone de la surface supérieure du corps inférieur (101) où le corps (102) ou les corps (102, 103) supérieur(s) est/sont montés.</p> |
