发明名称 |
亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法 |
摘要 |
本发明是一种亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法,它综合利用流变混熔处理工艺和分阶段变质处理工艺,使初生和共晶硅相的形态和分布得到改善,机械性能显著提高。其主要特征是分别把两种原料分别同时加热,并在不同的温度下保温,对其中一原料加变质剂,然后通过搅拌→倾入混和→再搅拌,在再搅拌时加另一类变质剂,而后成形。通过在流变混熔工艺中控制过共晶铝硅合金液固区域内的温度以及硅成分含量来改善初生硅相的分布。 |
申请公布号 |
CN1041846C |
申请公布日期 |
1999.01.27 |
申请号 |
CN95111669.X |
申请日期 |
1995.06.26 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
施忠良;顾明元;吴人洁;刘俊友 |
分类号 |
C22C1/02;C22C1/03;C22C21/04 |
主分类号 |
C22C1/02 |
代理机构 |
上海交通大学专利事务所 |
代理人 |
王锡麟 |
主权项 |
1、一种亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法,本发明的特征在于所述的这种方法是流变混溶处理工艺和分阶段变质处理工艺综合起来的方法,流变混熔处理工艺主要包括:(1)将两种原料(原料甲为过共晶铝硅合金,原料乙为纯铝或亚共晶铝硅合金)分别置于两炉同时加热,(2)对原料甲温度控制在液固相区域,适当保温,对原料乙则加热到熔化并适当保温,(3)将原料甲(过共晶铝硅合金)半固态熔体中的初生硅相进行破碎细化,如用机械搅拌法,搅拌速度在300-800rpm搅拌30-60秒后,将原料乙的熔体(处于熔化态)倾入经过上述搅拌处理后的原料甲中,并快速地对混合后的体系进行搅拌,分阶段变质处理工艺可以与流变混熔处理工艺一并结合进行,把原料甲(过共晶铝硅合金)加热至完全熔化并过热50-80℃,加入原料甲类变质剂,变质剂的加入量随变质剂的种类而定(如磷盐变质剂为0.1-0.2%),然后,停止加热,降温至620℃(相当于流变混熔处理工艺的第二步的状态),即原料甲处于半固态状态,而原料乙熔体同步进行(如第二步加热到熔化状态),然后再按流变混熔第三步的要求,搅拌-倾入-混和再搅拌,再搅拌时可加入原料乙类变质剂,变质剂的加入量随变质剂的种类而定(如钠盐变质剂0.5-0.6%),而后形成。 |
地址 |
200030上海市华山路1954号 |