发明名称 凸起接合方法及凸起接合装置
摘要 一种凸起接合方法,在贯通于毛细管的金属线的顶端形成金属球,使毛细管下降并检测毛细管上下方向的变位,在金属球与IC抵接时检测IC的电极形成部位的位置,将金属球按压到电极形成部位而形成凸起台座,然后使毛细管上升一定量并向水平方向移动一定量,以凸起台座的高度为基准来设定毛细管的停止位置高度,使毛细管再次下降到停止位置高度而使金属线与凸起台座接合,然后提拉金属线使凸起台座与金属线的接合部断裂,该方法可防止形成不良的凸起,缩短凸起的形成时间。
申请公布号 CN1206223A 申请公布日期 1999.01.27
申请号 CN98116378.5 申请日期 1998.07.22
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 米泽隆弘;中尾修;金山真司;山本章博;今西诚;吉田幸一
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 任永武
主权项 1.一种凸起接合方法,其特征在于,在贯通于毛细管的引线的顶端形成球,使所述毛细管下降并用变位检测装置检测所述毛细管的上下方向的变位,在所述球与半导体集成电路抵接时,根据变位检测装置测出的毛细管的变位而检测半导体集成电路的电极形成部位的位置,将所述球按压到所述电极形成部位而形成凸起台座,然后使所述毛细管上升一定量并向水平方向移动一定量,以所述变位检测装置测出的凸起台座的高度为基准来设定毛细管的停止位置高度,使毛细管再次下降到所述停止位置高度而将所述引线与凸起台座接合,当使所述毛细管再次上升一定量后,提拉所述引线使所述凸起台座与引线的接合部断裂,在半导体集成电路的电极形成部位形成凸起。
地址 日本国大阪府