| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CAPACITE METAL-METAL AU SEIN D'UN CIRCUIT INTEGRE, ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT |
| 摘要 |
<P>Les deux électrodes métalliques (40, 71) et la couche diélectrique (61) de la capacité métal-métal sont situées entre la couche isolante inférieure (2) supportant un niveau de métallisation (M 1) du circuit intégré et la couche isolante supérieure (80) recouvrant ce niveau de métallisation (M1).</P>
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| 申请公布号 |
FR2766294(A1) |
申请公布日期 |
1999.01.22 |
| 申请号 |
FR19970009164 |
申请日期 |
1997.07.18 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
MARTY MICHEL;JAOUEN HERVE |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L27/10;(IPC1-7):H01L29/92;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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