| 主权项 |
1.一种在测试期间控制DUT温度之方法,包含:a.测量在测试期间关于由DUT功率消耗之参数;b.利用该关于功率消耗之参数以驱动温度控制元件来补偿在测试期间由于DUT功率消耗改变而产生之温度变化。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)包含测量在测试期间DUT之电流消耗。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤b)包含在测试期间驱动温度控制元件以保持DUT之温度接近预定之设定点。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中当DUT之功率消耗增加时温度控制元件被驱动以降低其温度,当DUT之功率消耗减少时温度控制元件被驱动以使其温度回至预定之设定点。5.根据申请专利范围第1项之方法,更进一步包含测量DUT之温度和温度控制元件之温度并且利用这些测量値以驱动温度控制元件。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤b)包含产生一表示温度控制元件温度变化之控制信号以控制在测试期间DUT之温度。7.根据申请专利范围第1项之方法,包含在测试程式开始期间完成步骤a)并将其包含在测试程式指令内以驱动温度控制元件,当使用测试程式去测试DUT时由于在测试期间DUT功率消耗之改变驱动温度控制元件以补偿在DUT之温度改变。8.一种测试DUT之方法,包含:a)产生一测试程式其包含加至DUT之一连串激励和对于温度控制元件之一连串控制信号以控制DUT之温度;b)加激励至DUT并且测量其响应;与c)加控制信号至温度控制元件并同时地加激励至DUT以补偿DUT温度之改变,此DUT温度之改变是由于激励造成DUT功率消耗之变化。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中步骤a)包含得知回应激励之DUT电流消耗并利用此电流消耗以产生一连串控制信号。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中步骤a)包含在许多区域内产生测试程式并依序地连结在一起以产生应用至DUT之程式。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中步骤a)包含得知每一区域之DUT电流消耗并利用此电流消耗以产生关于此区域之一连串控制信号。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中得知每一区域之电流消耗包含如此区域之激励至DUT并测量关于由此激励之电流消耗。13.根据申请专利范围第10项之方法,包含测量每一区域之元件温度图并利用此元件温度图以产生关于此区域之控制信号。14.根据申请专利范围第8项之方法,更进一步包含当加入激励期间测量DUT之温度并利用DUT温度测量値以控制温度控制元件。15.一种测试DUT之装置,包含:a)提供一连串测试信号至DUT之测试器;b)在测试期间控制DUT温度之温度控制元件;与c)当测试信号加至DUT时依据关于DUT功率消耗之参数控制温度控制元件动作之装置。16.根据申请专利范围第15项之装置,更进一步包含在测试期间测量关于DUT功率消耗参数之装置。17.根据申请专利范围第16项之装置,其中测量关于DUT功率消耗参数之装置包含在测试期间测量关于DUT电流消耗参数之装置。18.根据申请专利范围第15项之装置,其中控制温度控制元件动作之装置包含感测器以得知DUT温度和温度控制元件之温度。19.根据申请专利范围第15项之装置,其中该测试器包含一记忆体以储存加至DUT之测试信号与加至温度控制元件之控制信号。20.根据申请专利范围第19项之装置,其中该测试器同步应用控制信号与测试信号。图式简单说明:第一图显示包含本发明之一IC测试器。第二图显示依据本发明之闭回路温度控制系统方块图。第三图显示在测试时间内电流消耗(IDD)、DUT之温度变动和温度控制元件之动作。第四图显示一温度控制元件之具体实施例。第五图显示一温度控制元件之另一具体实施例。第六图显示依据本发明之一开回路控制系统之方块图。 |
