| 主权项 |
1.一种于底材上之半导体唯读记忆元之制造方法,其包含下列步骤:(a)沈积一氧化层于一电晶体元之表面,该电晶体元具有一位于底材且经掺杂之源极与汲极区,该电晶体元之源极与汲极区分别位于底材中未经离子布植之通道区域两侧,该电晶体元具有一位于该通道区域上方并与其接触之闸氧化层,该电晶体元具有一位于该闸氧化层上方并与其接触之多晶矽闸极;(b)于该氧化层表面上沈积一硼磷矽玻璃(BPSG-Bor-Phospho-Silicate-Glass)层;(c)对该硼磷矽玻璃层进行平坦化程序;(d)沈积一金属层并将该记忆元区域上之金属层蚀刻掉;(e)经由一位于上述硼磷矽玻璃层之窗口进行一回蚀程序以形成一回蚀过之硼磷矽玻璃区域;(f)藉离子布植将适当杂质类型之离子经由前述回蚀过之硼磷矽玻璃区域、氧化层、多晶矽闸极以及其下方之闸氧化层注入该记忆元之通道区域以规划(programming)记忆元;(g)进行一规划后(post-programming)程序。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(d)包含下列步骤:(a)对该平坦化后之硼磷矽玻璃层进行罩幕与蚀刻以形成一接触区域;(b)于该平坦化后之硼磷矽玻璃层表面上沈积一金属层;(c)对该金属层进行罩幕与蚀刻。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(e)包含以下步骤:(a)对该硼磷矽玻璃层进行图样化与蚀刻以定义该记忆元之通道区域上方之窗口;(b)藉由该窗口对前述硼磷矽玻璃层蚀刻至某一厚度。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(g)包含以下步骤:(a)完成步骤(f)后覆盖一保护层于该记忆元上;(b)藉一光阻层对该保护层进行罩幕与蚀以形成焊垫,并将未被光阻覆盖的保护层去除;(c)将该记忆元置于热氧化炉内进行回火步骤以活化被注入的杂质,同时,该记忆元并于热氧化炉内进行合金步骤以形成欧姆接触。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(g)包含以下步骤:(a)藉快速回火步骤以活化被注入的杂质;(b)覆盖一保护层于该记忆元表面上;(c)藉一光阻对该保护层进行罩幕与蚀刻以形成焊垫,并将未被光阻覆盖的保护层去除;(d)对该记忆元进行合金步骤以形成欧姆接触。6.一种于底材上的半导体唯读记忆元之制造方法,该方法包含一于一记忆元区域沈积一金属并蚀刻该金属层之金属微像成影及显影/蚀刻程序,以及一根据一客户之唯读记忆码以离子布植方式规划该记忆元之程序,该方法之特性在于:一回蚀程序经由一窗口于一硼磷矽玻璃层上进行,该回蚀程序操作于一金属微像成影及显影/蚀刻程序之后并操作于规划该客户唯读记忆码之前。7.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(a)于一低温下进行。8.如申请专利范围第1项之制造方法,其中前述步骤(c)藉一热流(flow)程序施行。9.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该底材为P型矽,该电晶体元的源极区与汲极区为N型,以及该离子为P型。10.一种半导体唯读记忆元,包含:一汲极区;一源极区;一位于前述汲极区与源极区间的通道,该通道被选择性地注入离子于其中;一位于该通道上方的闸氧化层;一位于该闸氧化层上方的多晶矽闸极;一位于该多晶矽闸极上方的氧化层;一位于该氧化层上的硼磷矽玻璃层,其中该硼磷矽玻璃层具有一回蚀过的硼磷矽玻璃区域,该回蚀过的硼磷矽玻璃区域用以降低进行离子布植于前述通道所需之能量。图式简单说明:第一图说明藉传统制程所形成的一电晶体元之一截面图,其代表一罩幕式唯读记忆体元制造之起始结构。第二图说明一记忆元之一截面图,其中一低温氧化层与一硼磷矽玻璃层于前述第一图所显示之电晶体元的表面上沉积。第三图说明在对前述第二图中之记忆元进行平坦化、金属接触罩幕及蚀刻、金属沈积、以及金属之微像成影及显影/蚀刻等程序后,该记忆元表面形貌的一截面图。第四图说明经一硼磷矽玻璃回蚀程序后之记忆元的一截面图,其对前述第三图之记忆元中暴露之硼磷矽玻璃层往下蚀刻至一特定厚度。第五图说明藉离子布植方式以规划前述第四图的记忆元之截面图。 |
