| 主权项 |
1.一种积层薄膜,其包括一由热塑性树脂A形成之基层A及一存在于基层A之一表面上的涂层薄膜层B,涂层薄膜层B含有一粘合剂树脂,惰性细粒及一表面活性剂,且该表面活性剂基于涂层薄膜层B之固体含量实质上由0.1至15wt%之具有10至14HLB値之表面活性剂X和10至40wt%之具有16至18.5HLB値之表面活性剂Y组成以确保由以下等式所定义之平均HLB値是15至18:平均HLB=HLB(X)P(X)+HLB(Y)P(Y)其中HLB(X)是表面活性剂X之HLB値,P(X)是关于表面活性剂X和Y之总产的表面活性剂X的重量分率,HLB(Y)是表面活性剂(Y)之HLB値且P(Y)是关于表面活性剂X和Y之总重的表面活性剂Y的重量分率;其中热塑性树脂A系选自聚酯树脂,聚醯胺树脂,聚醯亚胺树脂,聚醚树脂,聚碳酸酯树脂,聚乙烯树脂或聚烯烃树脂,粘合剂树脂系选自亲水性聚酯树脂,亲水性丙烯酸树脂或亲水性聚氨基甲酸酯树脂,且惰性细粒系为至少一种选自交联矽酮树脂,交联丙烯酸树脂,交联聚苯乙烯,三聚氰醯胺-甲醛树脂,若族聚醯胺树脂,聚醯胺醯亚胺树脂,交联聚酯,整体芳族聚酯,二氧化矽(砂石),碳酸钙或核心-外壳型有机颗粒者;及其中薄膜层C系视情况地存在于基层A之表面上。2.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中形成基层A之热塑性树脂A实质上不含有惰性细粒。3.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中形成基层A之热塑性树脂A含有惰性细粒A,其具有40至400nm之平均粒径及0.1至/6之体积形状因数。4.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中惰性粒子A含于热塑性树脂A中,其比例是使因惰性粒子A所致之突出物存在于涂层薄膜层B之不接触基层A之表面上,其密度是每mm25,000至100,000。5.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中因涂层薄膜层B中所含之惰性细粒所致之突出物存在于涂层薄膜层B之不接触基膜层A之表面上,其密度是每m21至40。6.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中在涂层薄膜层B中所含之惰性细粒具有10至50nm之平均粒径且基于涂层薄膜层之固体含量,其含量是0.5至30wt%。7.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中涂层薄膜层B具有高峰于不接触基层A之表面上,其高度由一藉非接触性3-D计所得之表面粗糙度轮廓所计算是不少于4nm,其密度最大是每mm2200。8.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂X之HLB値是10.5至13.5。9.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂X含量基于涂层薄膜层B之固体含量是0.65至10wt%。10.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂Y之HLB値是16.5至18.3。11.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂Y之含量基于涂层薄膜层B之固体含量是12至36wt%。12.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂X和Y之含量比例应使平均HLB为15.5至17.5。13.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中表面活性剂X和Y是非离子性表面活性剂。14.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中涂层薄膜层B中所含之粘合剂树脂是亲水性聚酯树脂。15.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中薄膜层C系存在于基层A之不接触涂层薄膜层B的表面上。16.如申请专利范围第15项之积层薄膜,其中薄膜层C是一含有粘合剂树脂,惰性细粒和表面活性剂之涂层薄膜层。17.如申请专利范围第15项之积层薄膜,其中薄膜层C具有与薄膜层B相同的组成。18.如申请专利范围第15项之积层薄膜,其中薄膜层C包括一含有惰性细粒C且藉与基层A之共挤出所形成之热塑性树脂层。19.如申请专利范围第18项之积层薄膜,其中薄膜层C满足以下式子:0.001≦(dc)3Cctc≦100其中dc(m)是惰性细粒C之平均粒径,Cc(wt%)是惰性细粒C之含量且tc(nm)是薄膜层C之厚度。20.如申请专利范围第15或18项之积层薄膜,其具有至15mmHg/hr之气漏指数。21.一种磁性记录媒介,其系由如申请专利范围第1项之积层薄膜及存在于该积层薄膜之涂层薄膜层B上之磁性层所构成。22.如申请专利范围第21项之磁性记录媒介,其是供类比讯号记录之Hi8,及供数位录影机,资料8厘米及供数位讯号记录之DOSIV之用。23.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其有用于作为供产制磁性记录媒介之基膜。 |
