第三–五族化合物之半导体,其制法,以及发光元件

摘要

本发明提出一种高品质、缺陷少的第三－五族化合物半导体，其制法及使用此第三－五族化合物半导体之发光性质极佳的发光元件。〔１〕一种第三－五族化合物半导体，其结构中的第五层由通式为ＧａaＡｌbＮ（ａ＋ｂ＝１，０≦ａ＜１，０≦ｂ≦１）的第三－五族化合物半导体所形成，第四层的杂质含量比第五层来得低，是由通式为Ｇａa′Ａｌb′Ｎ（ａ′＋ｂ′＝１，０≦ａ′＜１，０≦ｂ′≦１）的第三－五族化合物半导体所形成，第一层由通式为ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ＜１）的第三－五族化合物半导体所形成，第二层是由通式为Ｇａｘ′Ａｌｙ′Ｎ（ｘ′＋ｙ′＝１，０＜ｘ′≦１，０≦ｙ′＜１）的第三－五族化合物半导体所形成，第三层是由通式为Ｇａｘ〞Ａｌｙ〞Ｎ（ｘ〞＋ｙ〞＝１，０＜ｘ〞≦１，０≦ｙ〞＜１）的第三－五族化合物半导体所形成，这些层依此顺序堆叠于另一层上方，其特征在于第一层厚度为５A至９０A。〔２〕一种制造第三－五族化合物半导体的法，其中，在第一层成长之后，第三层于超过１０００℃的温度下成长，此方法的特征在于在第一层成长之后、第三层成长之前，使第二层于１０００℃或较低的温度下成长。〔３〕一种发光元件，其特征为其使用如〔１〕所定义的第三－五族化合物半导体。

主权项

1.一种第三-五族化合物半导体,其结构中的第一层由通式为InxGayAlzN(x+y+z=1,0