用于相移光罩的自我对准的对准标记

摘要

一种相移蚀刻光罩是经由制造一组位于相移区的相移形状(11)及一组位于光罩对准区的强化对准标记(13,33)的方法所制成的。这两组都是位于单一块的石英(10)上面。此方法包含有一提升的步骤，其结果是得到相对于相移形状之对准标记的自我对准。所有这些相移形状及所有这些对准标记都在单一的步骤中作成图样化，且它们都包含了相同材料及相同厚度的底层(11,13)，使其在光学照相蚀刻系统中对于光线照射呈现部份透明的。通常此底层是氮氧化铬(chromium oxynitride)。为了避免光线照射从相移形状漏出到对准标记区，在强化对准标记及相移区之间有一个强化的对准标记开关层(shutter layer)(12,32)，且它是和强化的对准标记同时作出来的。而且为了要避免光线照射从一晶片区漏到另一晶片区(位于同一晶圆上的两个晶片)，也同时和强化的对准标记制造了一强化的晶片开关层(14,34)，而且它是位于晶片区之间。

主权项

1.一种制造光学照相蚀刻光罩的方法包含有以下的步骤:(a)在一上主表面上制备透明基板(10),其中有一具有共同厚度h之第一种材料的图样层,它对于波长的光线是部份透明的,及至少在上主表面第一及第二区域内各有一部份的图样层;(b)在图样层的上表面及基板的上主表面上形成一高度为H的光阻层(15);(c)以一电子束来撞击第一区域上所有区域、在第二区域上的一部份区域、第一和第二区互相邻接层之间的区域之光阻层;(d)在步骤(c)之前、进行中或进行后在光阻层的下表面每一地方射入光束;(e)使光阻层显影,藉此光阻层之那些部份且只有横向部份(31)在显影后是完整不变的,它可能是受到电子束的撞击,或是位于第二区域内,但既不会受到电子束撞击也不会覆盖到图样层上方;(f)沉积第二层(21)化学成份和第一种材料不同的第二种材料于光阻层残留完整部份的上表面上及其上未覆盖光阻层残留部份的第一层图样层所有区域上,第二层具有足够厚度,使其在结合第一层图样层之后对于波长的光线是不透明的;而且(g)剥除残留的光阻层,使得在残留的光阻层上所有第二种材料的薄层会被移除,但其它未覆盖于残留光阻层上的任何区域(32,33,34)则不会被移除。2.一种根据申请专利范围第1项之制造光学照相蚀刻光罩的方法,其进一步包含有在步骤(d)之后,但是在步骤(e)之前的步骤(h)在光阻层的上表面上射入另一个光束。3.根据申请专利范围第2项的方法,其进一步包含有步骤(d)之后,但是在步骤(h)之前烘烤光阻层的步骤。4.根据申请专利范围第3项的方法,其中步骤(d)和(h)的光束具有基本上是相同的个别光谱。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中第二层是以主要溅镀铬的方式来沉积的。6.根据申请专利范围第1项的方法,其中第二层具有小于大约(H-h)/3的厚度。7.根据申请专利范围第1,2,3,4,5或6项的方法,其中步骤(a)包含了基本上氮氧化铬的沉积及图样化,藉此制备出第一层图样层。图式简单说明:第一图-第六图描绘出根据本发明某一特定具体实施例制造的相移光罩之各个连续阶段横截面正视图。