| 主权项 |
1.一种使用近场光学装置之磁光记录系统:读/写头组件用以于一相邻的磁记录介质中读或写资讯,该读/写头组件包含终结于细缝的交叉推拔光学波导,该细缝的长度大于填充于波导的介质的光的一半的波长且宽实质小于填充于波导的介质的光波长。2.一种读/写头组件,用以在磁储存介质中读/写资讯;包含一对交叉推拔实质矩形光学波导,每一波导皆终结于细缝,每一该光学波导的长皆大于在填充于波导的介质中传输的光线的一半的波长,且其宽实质小于填充于波导的介质中的光线的波长;及一光线源,用以将预定波长之光导入至少一个该光学波导中,以提供由该细缝向外沿伸的E-场,及定位机构将该细缝定位于相邻于磁储存介质的位置,如此,E-场将耦合至该磁储存介质。3.如申请专利范围第2项之读/写头组件,其中,另一波导接收在该记录介质中的磁场已被旋转过的反射光线。4.如申请专利范围第2项之读/写头组件,其中,光源将光线投射至两个该矩形波导中,该光线在任一细缝中所具有的强度皆不足以将磁介质加热于居理温度以上,但在细缝的交叉点加成的光线却足以加热磁介质于居理点以上。5.如申请专利范围第2项之读/写头组件,其中,交叉推拔波导形成于一半导体材料晶圆中。6.如申请专利范围第5项之读/写头组件,其中,推拔波导是以高折射系数的材料填充。7.如申请专利范围第2项之读/写头组件,其中,交叉推拔波导是由使光纤成形而形成的。8.一种读/写头组件,用以在一磁储存介质中读/写资讯,包含;一读/写头,具有一对交叉推拔实质矩形的光学波导,每一波导以预定的角度尾端渐细而终结于细缝中,该光学波导其每个的长大于传输于填充于波导的介质中的光线的一半波长,且宽度实质小于填充于波导的介质中的光线的波长,一预定波长的光线源,透镜机构,接收来自光源的光线,并且形成以及将一推拔光束导入至少一个该光学波导中,以提供由该细缝沿伸向外的E-场,及定位机构,将该读写头定位于相邻于磁储存介质的位置,如此在细缝之E-场将耦合至该磁储存介质。9.如申请专利范围第8项之读/写头组件,其中,该交叉波导形成于矽中。10.如申请专利范围第8项之读/写头组件,其中,光束的推拔角度小于或等于波导的推拔角度。11.如申请专利范围第8项之读/写头组件,其中,透镜为一大孔径的透镜。12.如申请专利范围第10或11项之读/写头组件,其中,推拔光束小于波导,因此,直到因绕射而使光束的尺寸不再减少时,光束才射于波导上。13.如申请专利范围第8,9,10或11项之读/写头组件,其中,另一波导接收在该介质中已被磁场旋转过的反射光线。14.如申请专利范围第8项之读/写头组件,其中,光源将光线投射到两个该矩形波导中,该光线所具有的强度在任一细缝中皆不足以加热磁介质至居理温度以上,但在细缝的交叉点却足以加热磁介质于居理点以上。15.如申请专利范围第8项之读/写头组件,其中,交叉推拔波导形成于一半导体材料晶圆中。16.如申请专利范围第15项之读/写头组件,其中,推拔波导是以一高折射系数的物质填充。图式简单说明:第一图为推拔矩形光学波导的一个立体图。第二图显示一形成于一矽晶圆的推拔矩形光学波导。第三图A及第三图B为沿着第二图中的线3-3的断面图,显示推拔波导的斜面的角度,及具有不同会聚角度的作用的焦聚光束。第四图显示依据本发明使用交叉推拔波导的一磁光记录系统。第五图为磁光记录系统的5-5部份更详细的放大图。第六图显示一以波导厚度及宽度为函数的矩形波导的相关的输出。第七图为第四图及第五图的交叉推拔光学波导的透视图。第八图为第七图的交叉推拔光学波导的底视图,描述E-场。第九图显示玻璃光纤的厚度及外部,它大致上是圆形的,但是是逐渐变细的。内部的交叉如虚线所示。第十图显示第九图的一使用交叉推拔波导之磁光记录系统。第十一图显示一使用交叉推拔波导之磁光记录系统,光线由一有弹性的光纤波导所提供。 |
