| 发明名称 | 半导体存储器冗余电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有分段组织的字线(WL)的半导体存储器的冗余电路,在这种电路中,当在一个分段(分段8、9、10)中出现一种故障字线(defect WL)时,借助从属于有关分段的熔丝组(10、11)通过分段间冗余,可以通过一个分段选择信号(RPDZ’)起动在相同的分段中或者在另一分段中的冗余字线(Red.WL)。分段选择信号(RPDZ’)通过分析熔丝组的输出信号直接产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1205520A | 申请公布日期 | 1999.01.20 |
| 申请号 | CN98115951.6 | 申请日期 | 1998.07.10 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | H·戈贝 |
| 分类号 | G11C8/00 | 主分类号 | G11C8/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．具有分段线组织的字线(WL)的半导体存储器的冗余电路，在这种电路中，当在一个分段(分段8、9、10)中出现一种故障字线(defect WL)时，借助从属于有关分段的熔丝组(10、11)通过分段间冗余，可以通过一个分段选择信号(RPDZ’)起动，在相同的分段中或者在另一分段(分段8、9、10；分段8r、9r、10r)中的冗余字线(Red．WL)，其特征在于，分段选择信号(RPDZ’)是可以通过分析熔丝组(10、11)的输出信号(FRX)产生的。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||