半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

在半导体器件的连接孔中形成布线时,防止Cu的高压回流工艺时的Cu的氧化和由此引起的充填特性的变坏。在覆盖该连接孔的Cu膜上的氧化防止膜的形成前后维持1.33×10^-3Pa(1×10^-5Torr)以下的高真空气氛,然后利用高温·高压的惰性气体将铜膜的铜压入到布线用的连接孔中。作为氧化防止膜,使用钛等金属或氮化硅膜。此外,使用纯度为99.999wt%(5N)以上的铜作为靶,利用溅射法来形成Cu膜。此外,将高压惰性气体中的杂质气体量定为50vpm以下。

主权项

1．一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在半导体晶片的层间绝缘膜中形成布线用的槽和／或连接孔的工序；在上述层间绝缘膜上形成铜膜以便覆盖上述布线用的槽和／或连接孔的铜膜形成工序；从上述铜膜形成工序的结束时起维持了1．33×10-3Pa(1×10- 5Torr)以下的高真空气氛之后，一边连续地维持真空，一边在上述铜膜上形成铜的氧化防止膜的氧化防止膜形成工序；利用高温·高压的惰性气体将上述铜膜的铜压入到上述布线用的槽和／或连接孔中的铜压入工序；以及利用化学机械研磨进行除去，使上述铜膜的铜只留在上述布线用的槽和／或连接孔内的工序。