| 发明名称 | 半导体限流设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置,其包括一个水平通道区(22)和一个在n导电类型的第一半导体区(2)内与之相连接的竖直通道区(29)。两个通道区都以一个p－n－结的耗尽区(23)为界。所述p－n－结在第一半导体区(2)和一个在第一半导体区(2)中埋置的、p导电类型的第二半导体区之间构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1205802A | 申请公布日期 | 1999.01.20 |
| 申请号 | CN96199113.5 | 申请日期 | 1996.12.06 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 迪特里希·斯蒂法妮;海因茨·米特莱纳;乌尔里克·韦纳特 |
| 分类号 | H01L29/772;H01L29/86 | 主分类号 | H01L29/772 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 侯宇 |
| 主权项 | 1．一种半导体装置，其具有：a)一个给定导电类型(n或者p)的第一半导体区(2)，b)在第一半导体区(2)的表面(20)上安装的一个接触区(5)，c)第二半导体区(3)，它安装在第一半导体区(2)内接触区(5)的下面，并和第一半导体区(2)的导电类型相反，其中，d)第二半导体区(3)在平行于第一半导体区(2)的表面(20)的所有方向上比接触区(5)更长，使得在第一半导体区(2)内至少建立一个通道区(22)，其在下面以在第一半导体区(2)和第二半导体区(3)之间构成的p-n-结的耗尽区(23)为界，它在导通状态时从接触区(5)或者向接触区(5)传输电流。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||