| 发明名称 |
HIGH VOLTAGE CAPACITOR GROUND STRUCTURE FOR FBT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0135048(Y1) |
申请公布日期 |
1999.01.15 |
| 申请号 |
KR19950015071U |
申请日期 |
1995.06.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, MYUNG-HAN |
| 分类号 |
H01F38/42;(IPC1-7):H01F38/42 |
主分类号 |
H01F38/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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