发明名称 用于单掩膜C4焊料凸点制造的方法
摘要 一种在存在Pb/Sn焊料凸点(17)下从晶片(10)表面上去除球形限制冶金(BLM)层(14,15)的方法。在一个实施方案中,该BLM层包括钛层(14)和铜层(15)两层。在Pb/Sn焊料凸点(17)形成在晶片(10)的电接触垫(12)上后,用H<SUB>2</SUB>SO<SUB>4</SUB>+H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>+H<SUB>2</SUB>O溶液蚀刻BLM铜层(15)。在去除铜层(15)的同时,该H<SUB>2</SUB>SO<SUB>4</SUB>+H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>+H<SUB>2</SUB>O蚀刻剂也与Pb/Sn焊料凸点(17)反应在凸点(17)表面上形成薄Pb0保护层(18)。当铜层(15)被蚀刻掉后,用CH<SUB>3</SUB>COOH+NH<SUB>4</SUB>F+H<SUB>2</SUB>O溶液蚀刻钛层(14)。当暴露于CH<SUB>3</SUB>COOH+NH<SUB>4</SUB>F+H<SUB>2</SUB>O蚀刻剂时,形成在Pb/Sn焊料凸点(17)上的PbO层(18)保持不溶解,由此防止焊料凸点(17)在存在CH<SUB>3</SUB>COOH+NH<SUB>4</SUB>F+H<SUB>2</SUB>O蚀刻剂时被蚀刻。当钛被完全蚀刻后,通过暴露在HCl+NH<SUB>2</SUB>CSNH<SUB>2</SUB>+NH<SUB>4</SUB>Cl+H<SUB>2</SUB>O溶液中,将PbO层(18)从Pb/Sn焊料凸点(17)表面上去除。
申请公布号 CN1205114A 申请公布日期 1999.01.13
申请号 CN95198002.5 申请日期 1995.12.18
申请人 英特尔公司 发明人 D·E·克拉夫茨;V·慕拉利;C·S·李
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 魏金玺;谭明胜
主权项 1.一种在存在Pb/Sn焊料凸点下从晶片表面去除金属层的方法,该方法包括如下步骤:(a)通过将所述晶片暴露于第一蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第一金属层,其中从所述晶片的表面上去除了第一金属层,并且其中在所述Pb/Sn焊料凸点上形成一保护层;(b)通过将所述晶片暴露于第二蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第二金属层,其中在所述晶片的表面上去除了第二金属层,并且其中在暴露于所述第二蚀刻剂之后,至少部分的所述保护层保留在所述Pb/Sn焊料凸点表面上;(c)通过将所述晶片暴露于第三蚀刻剂中而从所述Pb/Sn焊料凸点表面上去除所述的保护层,其中所述的保护层被从所述Pb/Sn凸点上去除。
地址 美国加利福尼亚州