发明名称 | 分割窗孔图形布图的方法 | ||
摘要 | 使用离子束的微图印刷技术来制作半导体芯片,必须使用自持式掩模,不能用一个掩模制作例如环形结构图形。这种所谓掩模型版问题通过用两个互补掩模给芯片曝光来解决。本申请涉及一种自动地将一个布图分割成两个互补图形用了所说的两个掩模的方法。此方法确定出所述布图的延伸入所说掩模的窗孔表示区域的所有角。对所说的角执行一稳定性标准,其结果是仅不稳定的角被用以将所说的窗孔表示区域切割为许多区。其后将所说的许多区交替地配置到所说的两个图形上。 | ||
申请公布号 | CN1041665C | 申请公布日期 | 1999.01.13 |
申请号 | CN90109697.0 | 申请日期 | 1990.12.05 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 赫尔姆特 |
分类号 | H01L21/02;G03F1/04 | 主分类号 | H01L21/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种分割窗孔图形布图的方法,该布图具有许多边并具有内角和外角,以能够形成互补自持式半导体掩模,该方法其特征在于包括步骤: 确定所述布图的所有内角和外角; 对每个所述内角赋给一稳定性数值,该数值是相邻外角之间所有边周长的长度和相邻外角之间最短距离的长度的函数; 将每个内角的稳定性数值与预定的稳定性极限函数数值比较,该稳定性极限函数数值是依据要形成的掩模的结构特征而定的; 通过提供由所述赋给的稳定性数值低于所述稳定性极限函数数值的任何内角引向所述图形的对边的切割线,将每个图形分隔成许多区; 跨越所述互补自持式半导体掩模交替地配置所述区,建立互补自持式半导体掩模。 | ||
地址 | 美国纽约 |