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Die Erfindung betrifft eine Redundanzschaltung für Halbleiterspeicher mit in Segmenten organisierten Wortleitungen (WL), bei der bei Auftreten einer defekten Wortleitung (defect WL) in einem Segment (segment 8, 9, 10) mittels den jeweiligen Segmenten zugeordneten Fuse-Sets (10, 11) durch Inter-Segment-Redundanz eine redundante Wortleitung (Red. WL) im gleichen oder in einem anderen Segment durch ein Segmentauswahlsignal (RPDZ') aktivierbar ist. Das Segmentauswahlsignal (RPDZ') wird durch Auswertung des Ausgangssignals der Fuse-Sets direkt erzeugt. <IMAGE>
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