| 发明名称 |
Growth of bulk single crystals of aluminum nitride |
| 摘要 |
Bulk, low impurity aluminum nitride (AlN) single crystals are grown by sublimation or similar deposition techniques at growth rates greater than 0.5 mm/hr.
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| 申请公布号 |
US5858086(A) |
申请公布日期 |
1999.01.12 |
| 申请号 |
US19960730882 |
申请日期 |
1996.10.17 |
| 申请人 |
HUNTER, CHARLES ERIC |
发明人 |
HUNTER, CHARLES ERIC |
| 分类号 |
C30B23/00;C30B25/00;(IPC1-7):C30B25/02 |
主分类号 |
C30B23/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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