| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括:藉由从一半导体基底表面朝该半导体基底部内挖掘具有底部之沟槽,以划分主动区域的第1制程;于该主动区域之外缘上形成突出于该半导体基底表面上方而使该沟槽内壁的一部分向上延长的绝缘体的第2制程;在该半导体表面上至少掩埋该沟槽,以形成从该沟槽突出之绝缘层的第3制程;以及以蚀刻去除该绝缘层顶部的第4制程;其中与该绝缘层比较,该绝缘体之在该第4制程的蚀刻速度较慢。2.如申请范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该第1制程系包括在挖掘该沟槽前,于该半导体基底表面上藉由第1热氧化分别依序形成第1氧化层、半导体层及氮化层的制程;该第2制程系括藉由从挖掘该沟槽至该半导体层表面为止时之后,实施第2热氧化,以形成比该第1氧化层厚的氧化区域的制程;该第3制程系包括于该半导体基底表面的整个面上沈积形成做为该绝缘层的第2氧化层的制程、去除该绝缘层中之较该氮化层表面上方之部分的制程以及去除该氮化层及该半导体层的制程;该绝缘体是包含于氧化区域中。3.如申请范围第2项之半导体装置之制造方法,其中该第2热氧化是在挖掘至该半导体层内时实施的。4.如申请范围第2项之半导体装置之制造方法,其中该半导体层的厚度比该第1氧化层的厚度厚。图式简单说明:第一图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置的俯视图;第二图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置的剖面图;第三图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置的剖面图;第四图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第五图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第六图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第七图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第八图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第九图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第十图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第十一图系显示出依据本发明第1实施例之半导体装置方法的示意图;第十二图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十三图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十四图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十五图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十六图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十七图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十八图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第十九图系显示出依据本发明第2实施例之半导体装置方法的示意图;第二十图系显示出依据昔知技术之半导体装置的俯视图;第二十一图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十二图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十三图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十四图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十五图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十六图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十七图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十八图系显示出依据昔知技术之半导体装置制造方法的示意图;第二十九图系显示出依据昔知技术之半导体装置的剖面图;以及第三十图系显示出依据昔知技术之半导体装置的剖面图。 |
