| 主权项 |
1.一种形成单一氮化矽层为一保护层的方法,包含:形成一半导体结构于一底材之上;及形成一氮化矽层于该半导体结构之上,藉由一电浆增强化学气相沉积仪器及使用一电浆增强化学气相沉积方法,该电浆增强化学气相沉积仪器具有一组制程参数,其中低频电浆功率约为0.4475KW至0.4622KW,其中该氮化矽层系为该保护层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更进一步包含降低约百分之三至百分之八的高频。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之半导体结构系为一传导层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之传导层之成分选自钨及铝其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之氮化矽层之厚度范围约为3000至5000埃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电浆增强化学气相沉积方法系使用SiH4,N2,及NH3气体。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之电浆增强化学气相沉积仪器系使用Novellus仪器且该低频约0.45KW及该高频约0.55KW。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中一射频(Radio-frequency)约为400W。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中一制程气压约为2.6托耳。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之高频的范围约为0.5555KW至0.5272KW。11.一种形成单一氮化矽层为一保护层的方法,包含:形成一半导体结构于一底材之上;及形成一氮化矽层于该半导体结构之上,藉由一电浆增强化学气相沉积仪器及使用一电浆增强化学气相沉积方法,该电浆增强化学气相沉积仪器具有一组制程参数,其中压力约为3.15至3.57托耳,其中该氮化矽层系为该保护层。12.如申请专利范围第11项所述之方法更进一步包含增加约百分之三至百分之八的磁隙(Susceptor spacing)。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之半导体结构系为一传导层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之传导层之成分选自钨及铝其中之一。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之氮化矽层之厚度范围约为3000至5000埃。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之电浆增强化学气相沉积方法系使用SiH4,N2,及NH3气体。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之电浆增强化学气相沉积仪器系使用Applied Materials PR5000仪器且且上述之磁隙约为650mils。图式简单说明:第一图所示为传统方法所形成保护层之晶片剖面结构图。第二图所示为本发明方法所形成保护层之晶片剖面结构图。 |
