| 主权项 |
1.一种气体断路器,由具备填充绝缘性气体之金属容器,以及配置在此金属容器内,而且接离自如地相对之第1以及第2接触子,以及包围此2个之接触子而配置之金属制之罩而形成,其特征为:在上述罩之表面之一部分或全部施以氧化处理之同时,在施以此氧化处理之表面设置氟树脂皮膜层者。2.一种气体断路器,由具备填充绝缘性气体之金属容器,以及配置在此金属容器内,而且接离自如地相对之第1以及第2接触子,以及包围此2个之接触子而配置之金属制之罩构件而形成,其特征为:以铝形成上述罩构件之全部或一部分之同时,在此铝表面之至少一部分形成氧化膜,而且在此氧化层之表面设置氟树脂。3.如申请专利范围第2项所述之气体断路器,其中上述铝表面之氧化层系由阳极氧化处理而形成。4.如申请专利范围第1,2或3项所述之气体断路器,其中上述氟树脂皮膜层系含有氮,硼而成。5.如申请专利范围第1,2或3项所述之气体断路器,其中上述氧化层形成为10m以上100m以下之厚度。6.一种气体断路器,由具备填充绝缘性气体之金属容器,以及配置在此金属容器内,而且接离自如地相对之第1以及第2接触子,以及在此2个之接触子之间并联连接而配置之电容器,以及配置在此电容器之近旁,缓和电容器之电场之金属制之罩而形成,其特征为:在上述罩之表面形成氧化层,而且在该氧化层之表面设置氟树脂皮膜层。7.一种气体断路器,由具备填充绝缘性气体之金属容器,以及配置在此金属容器内,而且接离自如地相对之第1以及第2接触子,以及在此2个之接触子之间并联连接而配置之电容器,以及配置在此电容器之近旁,缓和电容器之电场之金属制之罩而形成,其特征为:在上述罩之前端以及其之周围设置氧化层之同时,在该氧化层之表面设置含氮,硼之氟树脂皮膜层。8.如申请专利范围第6项或第7项所述之气体断路器,其中上述氧化层系形成为10m以上100m以下之厚度。图式简单说明:第一图表示本发明之气体断路器之一实施例之纵剖侧面图。第二图为沿着第一图之A-A'线之剖面图。第三图表示罩之氧化层之厚度与绝缘耐力之关系之特性图。第四图表示包围本发明之气体断路器之断路部之罩之构造与形成氧化层之部位图。第五图表示包围本发明之实施例之断路器之断路部之罩之构造与形成氧化层之部位图。第六图为在断路部间配置电容器之场合之一实施例。第七图为沿着第二图之B-B'线之剖面图。第八图表示本发明之气体断路器之其他之实施例之纵剖侧面图。第九图为由C-C'所见包围第八图之断路部之罩之剖面图。 |
