| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,其中发出光波长之发光层(4,14),其实质上乃不被半导体基材(1,11)吸收,系在与半导体基材(1,11)晶格失配之状态下形成于半导体基材(1,11)之上,其特征在于,以至少一个杂质掺杂被用做发光层之基材之半导体材料,以用做辐射复合中心。2.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中含有两杂质类型之发光层(4,14)乃包含用以形成施体水平之第一杂质及用以形成受体水平之第二杂质。3.根据申请专利范围第2项之半导体发光装置,其中以第一杂质形成之施体水平,系位在由用做基材之半导体材料之传导带端起30毫电子伏特至200毫电子伏特之范围内,及以第二杂质形成之受体水平,系位在由用做基材之半导体材料之价带端起30毫电子伏特至200毫电子伏特之范围内。4.一种半导体发光装置,其中含有AlGaInP材料以当做基材之发光层(4,14),系在与GaP基材(1,11)晶格失配之状态下成长于GaP(1,11)基材之上,其特征在于以氮、氧、硒、硫或碲掺杂用做发光层(4,14)之基材之AlGaInP材料,以当做第一杂质以形成施体水平,并以镁、锌或镉当做第二杂质以形成受体水平。图式简单说明:第一图乃为根据本发明第一个具体实施例之结构图;第二图A及第二图B为能带状态图及示出根据本发明第一个具体实施例之载体状态密度分布图;第三图为根据本发明第二个具体实施例之结构图。第四图A及第四图B为能带状态图及示出根据本发明第二个具体实施例之载体状态密度分布图;第五图为发光层及基材之半导体材料之晶格常数及能隙间之关系图;第六图为GaP基材上之发光二极体结构图;第七图A及第七图B为示出GaP基材上之发光二极体中载体之能带状态及状态密度分布图;第八图为根据先前技艺之发光二极体结构图;第九图A及第九图B乃为能带状态图及示出根据先前技艺之发光二极体中载体之状态密度分布图;第十图为根据先前技艺之发光二极体结构图;及第十一图为根据先前技艺之发光二极体结构图。 |
