半导体晶圆之评价方法

摘要

[课题]对两种型式的半导体而言，由加工缺陷导致的氧化层耐压的衰退状态(degraded state)可被正确地侦测。以此方法，可改进晶圆制程的半导体晶圆评价方法被提供。[解决方法]一热氧化层的绝缘层设置于电极2和矽晶圆1之间的MOS电容器形成。同时能量大于1.1eV的光线照射在电极2及其周边上，电子从电极2侧注入(电压由矽晶圆1侧施加)。注入电子由光线照射被激起。对p型或n型半导体而言，绝缘破坏电场强度(insulationbreakdown electrical field)可根据加工缺陷的数目被正确地侦测。本评价方法对知技术难以评价的n型半导体晶圆特别有效。

主权项

1.一种半导体晶圆之评价方法特征在于:当评价一半导体晶圆的氧化层耐压时,电子从电极注入(电压施加于基板),同时光线照射在该电极及其周边上。2.如申请专利范围第1项所述的半导体晶圆之评价方法特征在于:照射能量在1.1eV以上。图式简单说明:第一图是量测n型半导体晶圆的氧化层耐压的方法的模式图;第二图是当光线照射在n型半导体晶圆时,由量测氧化层耐压得到的I-V特性线图;第三图是量测p型半导体晶圆的氧化层耐压的方法的模式图;第四图是当光线照射在p型半导体晶圆时,由量测氧化层耐压得到的I-V特性线图;第五图是根据习知技术量测p型半导体晶圆的氧化层耐压的方法的模式图;第六图是根据习知技术,由量测p型半导体晶圆的氧化层耐压得到的I-V特性线图;第七图是根据习知技术量测n型半导体晶圆的氧化层耐压的方法的模式图;以及第八图是根据习知技术,由量测n型半导体晶圆的氧化层耐压得到的I-V特性线图。