半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，即具备：半导体基板上形成下层配线之工程，及使ＳｉＨ4气体及Ｈ2Ｏ2在６５０Ｐａ以下真空中，－１０℃以上＋１０℃以下之温度范围内反应，在前述下层配线形成后之半导体基板上形成具有回流形状之第１回流ＳｉＯ2膜之第１回流形形成工程，及其后以所定高温实施上述半导体基板之热处理之高温热处理工程，及使ＳｉＨ4气体及Ｈ2Ｏ2在６５０Ｐａ以下之真空中，－１０℃以上＋１０℃以下之温度范围内反应，在上述高温热处理后之半导体基板上形成具有回流形状之第２回流ＳｉＯ2膜之第２回流膜形成工程，其特征为在前述第１回流膜形成工程后，至少实施一次前述高温热处理工程及继续之第２回流膜形成工程。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,系具备:在半导体基板上形成下层配线之工程;使SiH4气体及H2O2在650Pa以下真空中,-10℃以上+10℃以下之温度范围内反应,在前述下层配线形成后之半导体基板上形成具有回流形状之第1回流SiO2膜的第1回流膜形成工程;其后以所定高温实施上述半导体基板之热处理之高温热处理工程;及使SiH4气体及H2O2在650Pa以下之真空中,-10℃以上+10℃以下之温度范围内反应,在上述高温热处理后之半导体基板上形成具有回流形状之第2回流SiO2膜的第2回流膜形成工程;其特征为在前述第1回流膜形成工程后,至少实施一次前述高温热处理工程及后续之第2回流膜形成工程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制造方法,其中前述热处理系在100℃-500℃温度范围内,非活性气体中实施。图式简单说明:第一图:表示本发明之半导体装置之制造方法有关之多层配线工程中之层间绝缘膜形成工程采用回流绝缘膜形成技术时之一例之断面图。第二图:表示就第一图工程所得回流SiO2膜以其膜厚及回流SiO2膜上形成之盖膜膜厚为参数实施热处理时之裂痕发生状况予以实测结果之图。第三图:表示就先前之半导体装置制造时多层配线工程中之层间绝缘膜形成工程采用回流绝缘膜形成技术时所得之回流SiO2膜,以其膜厚及回流SiO2膜上形成之盖膜膜厚为参数实施热处理时之裂痕发生状况予以实测结果之图。