非晶型过氧化钛之被覆方法

摘要

本发明系提供一种被覆材，即使其表面具有斥水性之基体或具有热塑性之基体，亦不须以界面活性剂等进行亲水性处理，又基体之热塑性并无限制；进一步提供一种制膜方法，可使光触媒半导体或介电体、导电体陶瓷材之薄膜形成及其厚度管理很容易，且光触媒半导体等不会被粘结剂覆盖。本发明之解决方法系将粘稠性非晶型过氧化钛等固定于基体，使用来作为粘结剂层，又，使光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之微粒子以气体中均一散乱状态附着于该非晶型过氧化钛层，或将粘稠性非晶型过氧化钛等固定于基体，加热烧结而形成一具有光触媒能之氧化钛层。

主权项

1.一种基板上固定非晶型过氧化钛层之方法,系在基体上固定非晶型过氧化钛层,其特征在于:使用界面活性剂等作基体表面之亲水性处理,或不作该亲水性处理,然后被覆粘稠性非晶型过氧化钛,而后再于常温-250℃下进行乾燥、烧结者。2.一种基板,系具有根据申请专利范围第1项之方法所制作之非晶型过氧化钛层。3.一种于基板上固定氧化钛层之方法,系在基体上固定氧化钛层,其特征系在:使用界面活性剂等进行基体表面之亲水性处理,或不作该亲水性处理,而后被覆粘稠性非晶型过氧化钛,然后于250℃以上烧结。4.一种基板,系具有根据申请专利范围第3项之方法所制作之氧化钛层。5.一种固定光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之薄层的方法,其特征在于:于基体上被覆非晶型过氧化钛溶胶,以形成非晶型过氧化钛层,于该非晶型过氧化钛层具有附着性之际,使光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之微粒子以气体中均一散乱状态附着于该非晶型过氧化钛层。6.一种固定光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之薄层的方法,其特征在于:于基体上不进行使用界面活性剂等作基体表面的亲水性处理,而被覆粘稠性非晶型过氧化钛,形成非晶型过氧化钛层,于该非晶型过氧化钛层具有附着性之际,使光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之微粒子以气体中均一散乱状态附着于该非晶型过氧化钛层。7.一种基板,系根据申请专利范围第5项或第6项之方法制作,且由基体、形成于该基体上之非晶型过氧化钛层、与形成于该非晶型过氧化钛层上之光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之薄层所构成者。8.一种粘稠性非晶型过氧化钛之制造方法,其特征在于:使0.3-1.5重量%之四氯化钛溶液与1.0-5.0重量%之氢氧化铵溶液于pH 2-6的酸性区域反应后,于沉淀之淡蓝白色正钛酸水合物中加入过氧化氢水,低温下一面搅拌一面反应后,在常温下培养。9.一种粘稠性非晶型过氧化钛,系以根据申请专利范围第8项之方法制造。图式简单说明:第一图系显示固定光触媒半导体、介电体陶瓷或导电体陶瓷之薄层的方法。