| 主权项 |
1.一种抗渗性复合薄膜,系在基材薄膜层的至少一面,被覆无机质薄膜层,再以含矽烷偶合剂的抗渗性树脂被覆于该薄膜层上,其中抗渗性树脂含有偏二氯乙烯系共聚物或乙烯-乙烯醇共聚物者。2.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中基材薄膜层系以聚丙烯、聚对苯二甲酸烷二酯或聚醯胺构成者。3.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中无机质薄膜层具有透明性者。4.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中无机质层系以选自周期表2A族元素、过渡元素、2B族元素、3B族元素、4B族元素和6B族元素至少一种之金属氧化物构成者。5.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中无机质层系以周期表3B族元素或4B族元素之氧化物构成者。6.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中无机质层系以氧化矽构成者。7.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中无机质层厚度为100至5000A者。8.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中抗渗性树脂涂膜层含有选自偏二氯乙烯-丙烯共聚物、偏二氯乙烯-异丁烯酸共聚物、偏二氯乙烯-丙烯酸酯共聚物、偏二氯乙烯-异丁烯酸酯共聚物、偏二氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物,以及乙烯含量5-50莫耳%的溶剂可溶性或分散性乙烯-乙烯醇共聚物至少一种之抗渗性树脂者。9.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中矽烷偶合剂具有选自卤素原子、环氧基、胺基、羟基、氢硫基、乙烯基、(甲基)丙烯醯基之至少一种官能基、以及烷氧基者。10.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中矽烷偶合剂系以下式表示:Y-(R)n-SiX3式中Y为选自卤素原子、环氧基、胺基、氢硫基、乙烯基、(甲基)丙烯醯基之一种官能基,R为烃残基、X为相同或不同之烷氧基,n为0或1者。11.如申请专利范围第10项之抗渗性复合薄膜,其中R所表示之烃残基为C1-4烷撑基,或双键被环氧化之C5-8环烯基-C1-4烷基残基,X为相同或不同之甲氧基或乙氧基者。12.如申请专利范围第10项之抗渗性复合薄膜,其中Y为乙烯基时,n为0者。13.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中矽烷偶合剂比率,对抗渗性树脂100重量份,为0.05-10重量份者。14.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中矽烷偶合剂比率,对抗渗性树脂100重量份,为0.1-7重量份者。15.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中抗渗性树脂涂膜层厚度为0.05-15m者。16.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中抗渗性树脂涂膜层厚度T(m)对无机质层厚度t(m)之比T/t,为0.1-1500者。17.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中抗渗性树脂涂膜层厚度T(m)对无机质层厚度t(m)之比T/t,为0.5-500者。18.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中于由聚丙烯、聚对苯二甲酸烷二酯或聚醯胺构成之基材薄膜层至少一面,依序形成具有以组成式SiOx(式中0<x≦2)所示氧化矽构成、且厚度100-5000A之透明性无机质层,以及含有砂烷偶合剂和偏二氯乙烯系共聚物或乙烯-乙烯醇共聚物之抗渗性树脂涂膜层,同时抗渗性树脂涂膜层厚度T(n)对前述无机质层厚度t(m)之比T/t,为1至200者。19.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中于聚丙烯、聚对苯二甲酸烷二酯或聚醯胺所构成基材薄膜至少一面,形成以非导电性无机物所构成、且厚度200-3000A之无机质层,以及厚度0.1-10m的抗渗性树脂涂膜层者。20.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其在温度40℃,相对湿度90%RH,保存一星期后,涂膜层对基材薄膜层之剥离强度在100g/15mm以上者。21.如申请专利范围第20项之抗渗性复合薄膜,其中基材薄膜层厚度为10-30m,以无机质层和涂膜层所构成被覆层厚度为0.5-5m时,在温度25℃的氧气渗透率在5cc/m224hr以下,温度40℃和90%相对湿度时,水蒸汽渗透率为5g/m224hr以下者。22.如申请专利范围第1项之抗渗性复合薄膜,其中基材薄膜层另一面或抗渗性树脂涂膜层,系以热封层加以被覆者。23.一种抗渗性复合薄膜之制法,其系在基材薄膜至少一面,形成无机质薄膜层后,在此无机质层上,将含有矽烷偶合剂和抗渗性树脂之涂布液加以涂布者,其中抗渗性树脂含有偏二氯乙烯系共聚物或乙烯-乙烯醇共聚物者。24.如申请专利范围第23项之抗渗性复合薄膜之制法,系在涂膜层或基材薄膜之另一面,形成厚3至100m之热封层者。 |
