| 主权项 |
1.一种改善金属矽化物的选择性及蚀刻率的蚀刻方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已设有至少一场氧化层、一闸极、一导电层及复数个源/汲极区,其中该闸极包括一闸极氧化层与一复晶矽层,具有复数个矽化金属层于该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区上;形成一介电层于该基底上与该些矽化金属层上;以及罩幕定义,以四氟化碳、三氟甲烷、氮气之一混合气体进行蚀刻,去除部份该介电层,暴露出该些矽化金属层,且更进一步分别在该些矽化金属层表面形成一金属氮化物层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该矽化金属层的方法更包括下列步骤:形成一金属层于该基底上;进行第一道快速热回火步骤,使该金属层与该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区反应生成复数个矽化金属层;去除多余及末参与反应的金属层;以及进行第二道快速热回火步骤,使该矽化金属层由高电阻相转换到低电阻相。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该金属层的方法为DC溅镀。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该金属层为钛。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中将该金属层与该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区进行反应生成复数个矽化金属层的方法系为快速热回火法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系为一硼磷矽化玻璃层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该混合气体的流速分别为:四氟化碳约为10-50sccm、三氟甲烷约为10-50sccm、氮气约为10-30sccm。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该混合气体的压力约为100-400mTorr,功率约为200-1000W。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该混合气体对介电层/矽化金属层的蚀刻选择比大于10。10.一种改善金属矽化物的选择性及蚀刻率的蚀刻方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已设有至少一场氧化层、一闸极、一导电层及复数个源/汲极区,其中该闸极包括一闸极氧化层与一复晶矽层,具有复数个矽化钛层于该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区上;形成一介电层于该基底上与该些矽化钛层上;以及罩幕定义,以四氟化碳、三氟甲烷、氮气之一混合气体进行蚀刻,去除部份该介电层,暴露出该些矽化钛层,且更进一步分别在该些矽化钛层表面形成一氮化钛层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中形成该矽化钛层的方法更包括下列步骤:形成一钛金属层于该基底上;进行第一道快速热回火步骤,使该钛金属层与该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区反应生成复数个矽化钛层;去除多余及未参与反应的钛金属层;以及进行第二道快速热回火步骤,使该矽化钛层由高电阻相转换到低电阻相。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该钛金属层的方法为DC溅镀。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中将该钛金属层与该导电层、该复晶矽层及该些源/汲极区进行反应生成复数个矽化钛层的方法系为快速热回火法。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该介电层系为一硼磷矽化玻璃层。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中进行蚀刻之压力约为100-400mTorr,功率约为200-1000W。16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该混合气体的流速分别约为10-50sccm的四氟化碳、10-50sccm的三氟甲烷及10-30sccm的氮气。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该混合气体树二氧化矽/矽化钛的选择蚀刻比大于10。图式简单说明:第一图A至第一图D是习知的一种自动对准矽化物制造方法的结构绘示图;以及第二图A至第二图D绘示依照本发明一较佳实施例,制作自动对准矽化物半导体元件的方法之结构绘示图。 |
