| 摘要 |
本创作系用于CVD装置用之保温筒，更特定地说，系用于一纵型热处理装置之保温筒，由显示使用状态之参考图可清楚了解。此型式之纵型热处理装置被用来供应预定的反应气体到做为欲被处理物件的半导体晶圆，藉由在气相上或基体表面上的化学反应以形成所希望之薄膜。纵型热处理装置基本上包含一具有反应空间（做CVD处理的半导体晶圆被收纳于其中）并由一石英内管和一石英外管形成的反应容器、一用以加热反应容器之内部到达预定处理温度的加热器、一用以保持并绝缘加热器的绝缘材料、和一用以覆盖绝缘材料外部的外壳。在此，多个(例如150个）半导体晶圆以垂直预定的间隔关系被放置于一晶圆舟皿上，晶圆舟皿系被本创作之保温筒本体所支撑。晶圆舟皿藉由一上下移动的舟皿昇降器被带入反应容器中，并在热处理后被带出反应容器。在反应容器下端的开口被一与舟皿昇降器一起上下移动的唇部打开并关闭。特别地，所有置于晶圆舟皿（被收纳于反应容器中）上的晶圆需要被设置在均等的区域。所以。晶圆系被本创作之保温筒本体所定置，以便将晶圆安置于均等区域，避免产生非均等区域的低温区域，而且晶圆舟皿的底部被加热。本创作之石英翼片保温筒包含（例如10个）在一预定范围（从喷砂石英所形成之上部环和从透明石英所形成之上部环）支撑住晶圆舟皿的翼片、和（例如４个）同样亦由透明石英形成之站立在底板上固持翼片的支柱，保温筒系被收纳于保温筒本体中。此外，例如，一做为热电偶之脱离口的凹部系形成于保温筒之侧边上。 |
