发明名称 MOS-controlled semiconductor device
摘要 <p>Es wird ein MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement angegeben. Durch Gräben werden Emitterfinger und Kollektorfinger gebildet. Nur die Emitterfinger weisen Sourcegebiete auf. Den Kollektorfingern fehlen diese Gebiete. Die Kollektorfinger sind mit einer dünnen, hochdotierten Schicht ausgestattet sein, die einen guten elektrischen Kontakt zu der Kathode ermöglicht. Zwischen zwei Emitterfingern sind mindestens ein, vorzugsweise mindestens drei, Kathodenfinger angeordnet. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP0889531(A1) 申请公布日期 1999.01.07
申请号 EP19980810484 申请日期 1998.05.25
申请人 ASEA BROWN BOVERI AG 发明人 BAUER, FRIEDHELM, DR.
分类号 H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
主权项
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