发明名称 |
半导体存储器及其类型的设置方法 |
摘要 |
将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息,来选择存储器功能的 功能选择电路的半导体芯片密封在封装内,而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件,最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导存储器类型,从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同,因此,可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。 |
申请公布号 |
CN1041581C |
申请公布日期 |
1999.01.06 |
申请号 |
CN94101411.8 |
申请日期 |
1994.02.19 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
梶谷一彦;堀口真志;中込仪延;堀陵一;松本哲郎;久保征治 |
分类号 |
H01L27/10;G11C11/34 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
马浩 |
主权项 |
1.一种动态随机存取存储器包括:一个半导体芯片;一个封装,所述半导体芯片密封在该封装内;其特征在于还包括:一个存储器阵列,形成在半导体芯片上,所述存储器阵列包括多个数据线,多个字线和多个动态存储器单元,其每一个均耦接到所述多个数据线的相应一个和所述多个字线的相应一个上;一个模式设置信号存储电路,形成在半导体芯片上,所述模式设置信号存储电路包括多个非易失存储器元件,用于存储与所述动态随机存取存储器的多个运行模式相关的信息,所述模式设置信号存储电路输出多个模式设置信号(SX1,SX4,FP,SC),所述与所述动态随机存取存储器的所述多个运行模式相关的信息在半导体芯片被密封在封装内之后被写入所述非易失存储器元件;以及一个选择电路,形成在半导体芯片上,所述选择电路接收所述多个模式设置信号并根据所述模式设置信号选择一个所述动态随机存取存储器的所述运行模式。 |
地址 |
日本东京 |