| 发明名称 | 制造半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 提出了一种制造半导体存储器件的方法,可以防止半导体的位线氧化。在半导体基片上形成一个器件隔离区,以确定有源区和无源区。在半导体基片的有源区上形成一栅电极。在包括该栅电极的半导体基片上形成一第一层间绝缘层。在第一层间绝缘层上形成一位线,以及在包括该位线的第一层间绝缘层上形成一第二层间绝缘层。根据这种方法,可防止被淀积以形成介电层的氮化硅层的断裂与减薄现象的发生,从而防止位线被氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN1204150A | 申请公布日期 | 1999.01.06 |
| 申请号 | CN98102739.3 | 申请日期 | 1998.06.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴泳雨;金仁哲 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
| 主权项 | 1一种制造半导体存储器件的方法，包括如下步骤：在半导体基片上形成一器件隔离区，以确定有源区和无源区；在所述半导体基片的所述有源区上形成一第一导电层；在包括所述第一导电层的所述半导体基片上形成一第一层间绝缘层；在所述第一层间绝缘层上形成一第二导电层；和在包括所述第二导电层的所述第一层间绝缘层上形成一第二层间绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||