| 主权项 |
1.一种制造半导体元件的方法,该方法包括下列步骤:(1)于一基底上形成一矽层;(2)于矽层之上形成一结晶的金属矽化物层;(3)将离子植入于该结晶的金属矽化物层,以形成一非晶系金属矽化物层;以及(4)将该非晶系金属矽化物层加热处理,以使该非晶系金属矽化物结晶。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(1)的步骤包括:形成一掺杂矽层;以及于该掺杂矽层上沈积一末掺杂之矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(1)的步骤包括:沈积一掺杂矽层;以及以氟化氢溶液清洗该掺杂矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层系以钨、钛或钽形成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层转变为非晶系系藉由磷、硼或砷离子的植入。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该磷、硼或砷离子的剂量范围约在11015至81015cm-3之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层之厚度约在1000A至2000A之间。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层系以钨形成,并使用六氟化钨与矽烷或六氟化钨与矽烷为气体源。9.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该非晶系金属矽化物层之热处理的温度范围约在400℃至1100℃之间。10.一种制造半导体元件的方法,该方法包括下列步骤:(1)于一基底上沈积一绝缘薄膜;(2)于该绝缘薄膜的第一个区域上形成第一导体型多晶矽层;(3)于该绝缘薄膜的第二个区域上形成第二导体型多晶矽层;(4)于该第一与第二导体型多晶矽层上形成一扩散防护层;(5)于该扩散防护层上形成一结晶的金属矽化物层;(6)将离子植入于该结晶的金属矽化物层,以使该结晶的金属矽化物层转变为一非晶系金属矽化物层;(7)将该非晶系金属矽化物层加热处理,以使该非晶系金属矽化物结晶;以及(8)将该结晶金属矽化物层、该第一与第二多晶矽层以及该绝缘薄膜蚀刻,以形成一补偿式金氧半电晶体。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该扩散防护层系以氮化钛、氮化钨、氮矽化钨或氮矽化钽形成。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层系以钨、钛或钽形成。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层转变为非晶系系藉由磷、硼或砷离子的植入。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该磷、硼或砷离子的剂量范围约在11015至81015cm-3之间。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层之厚度约在1000A至2000A之间。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该结晶的金属矽化物层系以钨形成,并使用六氟化钨与矽烷或六氟化钨与矽烷为气体源。17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该非晶系金属矽化物层之加热处理的温度范围约在400℃至1100℃之间。18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中形成该非晶系金属矽化物层之步骤(6)的步骤包括:形成一扩散防护层;以及于该扩散防护层上溅镀一金属矽化物层。19.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该扩散防护层之厚度级数约在100A之间。20.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该扩散防护层之形成系以二次进行沈积,每一次之沈积厚度约为50A,以增加扩散防护之性质。21.如申请专利范围第10项所述之方法,其中形成该第一与第二导体多晶矽层之步骤(1)与步骤(2)之步骤包括:于该绝缘薄膜上形成一未掺杂多晶矽层;于该矽层的第一区域上形成第一导体多晶矽层;以及于该矽层的第二区域上形成第二导体多晶矽层。图式简单说明:第一图a至第一图c绘示第一种传统制造半导体元件之方法的流程剖面图;第二图a至第二图c绘示第二种传统制造半导体元件之方法的流程剖面图;第三图a至第三图c绘示依照本发明之第一实施例,一种制造半导体元件之方法的流程剖面图;第四图a至第四图f绘示依照本发明之第二实施例,一种制造半导体元件之方法的流程剖面图;第五图绘示本发明之掺杂的矽化钨层之非晶系性质图;第六图绘示本发明之矽化钨层的阻抗系数与离子剂量的关系图;第七图绘示本发明之矽化钨层在900℃下加热处理30分钟后,其阻抗系数与离子剂量的关系图;第八图绘示本发明之矽化钨层经P型离子掺杂后,不同厚度的矽化钨层,其线宽与阻抗系数的关系图;以及第九图绘示在相同于第八图的条件下,闸极之线宽为0.25m的阻抗系数。 |
