| 主权项 |
1.一种积体电路的制造方法,包括: 提供一基底以及一绝缘物质层位于该基底上;生成一第一导电层于该绝缘物质层上;微影蚀刻该第一导电层,用以定义一下电极;生成一电容介电层于该下电极上;沈积一氮化钛层于该电容介电层上;在氮化钛层上生成一光阻罩幕,该罩幕至少覆盖部份下电极并至少露出部份氮化钛层,以及利用湿蚀刻蚀穿氮化钛层露出的部份。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中湿蚀刻步骤的执行是利用一湿蚀刻剂,包括氨水和过氧化氢的水溶液。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该层绝缘物质包括一氧化物,以及该下电极包括一多晶矽;其中该湿蚀刻制程是利用一蚀刻剂进行蚀刻,该蚀刻剂对氮化钛的选择性较该层绝缘物质高。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该蚀刻剂对氧化物上方的氮化钛,比含氯的乾蚀刻制程有较高的蚀刻选择比。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该下电极与一动态随机存取记忆体的转移场效电晶体之源极/汲极区相接触,以及该动态随机存取记忆体的电荷储存电容是由该下电极,该电容介电层与该氮化钛层组成。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该电容介电层系一钽氧化物。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该电容介电层系为Ta2O5。8.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该动态随机存取记忆体的电荷储存电容,是在一逻辑电路中嵌入的动态随机存取记忆体阵列的一部份。9.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该蚀刻剂本质上由氨水、过氧化氢与水组成。10.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该电容介电层包括钽氧化物。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该氮化钛层的沈积,系利用一化学气相沈积制程。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该化学气相沈积制程系利用氯化钛和氨气为反应气体。13.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该罩幕包括一二氧化矽层。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中系利用一氧化物湿蚀刻制程微影蚀刻该二氧化矽层。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该氧化物湿蚀刻制程,系利用一蚀刻剂包括氢氟酸以及一光阻罩幕,定义该氧化物湿蚀刻制程的范围。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中该光阻罩幕在蚀刻该氮化钛层以前被移除。17.一种积体电路的制造方法,包括:提供一具有一转移场效电晶体的一基底,该转移场效电晶体具有一第一与一第二源极/汲极区以及一闸极,该转移场效电晶体层之该闸极覆盖一绝缘物质层;沈积一多晶矽层与该第一源极/汲极区相接触,以及微影蚀刻该多晶矽层,用以定义至少部份之一下电容电极;生成一电容介电层于该下电容电极上;沈积一氮化钛层于该电容介电层上;在该氮化钛层上生成一罩幕,该罩幕至少覆盖部份该下电极并至少露出部份该氮化钛层,以及微影蚀刻该氮化钛层,利用一氮化钛湿蚀刻剂,至少形成部份之一上电容电极。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该罩幕包括一二氧化矽层以及一绝缘物质层,该绝缘物质层包括二氧化矽。19.如申请专利范围第18项所述之制造方法,其中该氧化物湿蚀刻制程,系利用一湿蚀刻剂包括氢氟酸,以及利用一光阻罩幕,定义该氧化物湿蚀刻制程的范围。20.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该湿蚀刻步骤系利用一蚀刻剂,包括氨水与过氧化氢的水溶液。21.如申请专利范围第20项所述之制造方法,其中该电容介电层包括钽氧化物。22.如申请专利范围第21项所述之制造方法,其中该电容介电层是五氧化二钽。23.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该蚀刻剂本质上由氨水、过氧化氢与水组成。24.如申请专利范围第21项所述之制造方法,其中该氮化钛层系利用一化学气相沈积制程沈积而成。25.如申请专利范围第24项所述之制造方法,其中该化学气相沈积制程系利用氯化钛和氨气为反应气体。图式简单说明:第一图到第四图系显示一含有高介电常数电容介电层的DRAM的传统制程。第五图到第八图系显示根据本发明一些实施例之DRAM的制造步骤。第九图到第十一图系显示根据本发明较佳实施例之另一种DRAM的制造步骤。 |
