DISPOSICION DE CIRCUITO MOS PARA LA CONMUTACION DE ALTAS TENSIONES EN UN CHIP DE SEMICONDUCTORES.

摘要

PARA CONECTAR UNA ALTA TENSION NEGATIVA (-VPP), POR EJEMPLO COMO TENSION DE PROGRAMACION, EN EL HILO DE PALABRA DE UNA MEMORIA FLASH, SE INDICAN DOS VARIANTES DE CIRCUITO QUE SOLO SE FORMAN CON TRANSISTORES PERTENECIENTES AL MISMO TIPO DE CONDUCCION QUE EL SUBSTRATO. DE ESTA FORMA SE PUEDE RENUNCIAR A BANDEJAS PROFUNDAS AISLANTES, QUE EXIGEN UNA TECNOLOGIA ESPECIAL.