| 发明名称 |
STRUCTURE A COMPOSANT MICROELECTRONIQUE EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DIFFICILE A GRAVER ET A TROUS METALLISES |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne une structure comportant un composant microélectronique (20) réalisé dans un matériau semi-conducteur difficile à graver. Cette structure est obtenue par solidarisation d'un film mince (12) du matériau semi-conducteur difficile à graver sur la face avant d'un premier substrat en matériau facile à graver et servant de support. Le composant microélectronique (20) est réalisé dans le film mince (12) et un trou traversant (33) est gravé dans la structure et métallisé (35) de façon à relier électriquement une électrode (18) formée sur la face arrière du premier substrat à une électrode (24) du composant microélectronique (20).</P> |
| 申请公布号 |
FR2765398(A1) |
申请公布日期 |
1998.12.31 |
| 申请号 |
FR19970007922 |
申请日期 |
1997.06.25 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
BILLON THIERRY |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L21/04;H01L21/20;H01L21/3205;H01L21/338;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/52;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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