| 摘要 |
<P>Le procédé comporte le dépôt sur une couche (1) d'oxyde de grille d'un empilement de couches Si/Si1-x Gex / Si (2, 3, 4) dans un réacteur monoplaque, puis la gravure de la grille (GR) en utilisant un masque inorganique (5). La grille (GR) est ensuite encapsulée par un matériau (7) non oxydant vis-à-vis du germanium avant formation des espaceurs isolants (8).</P>
|
